微电子所22-14纳米集成电路关键工艺技术研发取得进展
    2015年03月16日 15:06:00  来源:    字体大小[]

      我院微电子所针对22-14纳米(nm)集成电路关键工艺组建了全国性的产学研用联盟,与北大、清华、复旦、中芯国际、武汉新芯等单位开展联合研发,取得了一系列研发成果。 

      经过5年攻关,项目组完成了面向22/20nm技术代的150多项单项技术的研发并实现工艺集成。在国际主流的后高k栅介质/金属栅技术、叠层结构材料、超陡倒退阱改善短沟道效应等方面提出一系列创新方法,有效解决了等效氧化物厚度(EOT)微缩、费米能级钉扎效应抑制、功函数调节等关键技术和工程实现问题。采用全后栅工艺研发出22nm CMOS晶体管,器件主要参数达到业界先进水平,并在中芯国际等代工厂的12吋生产线上得到流片验证;完成了面向16/14nm技术代的体硅FinFET关键工艺及集成技术研发。在纳米级三维硅Fin制作工艺、三维高k栅介质/金属栅工程、多重曝光技术等多项关键工艺方面取得突破,器件主要参数达到业界前沿水平,并在12吋生产线上进行了多个关键工艺模块的流片验证与开发,获得了性能良好的大阵列高密度FinFET器件,为下一步的产品工艺开发奠定了基础。 

      此外,项目组提出了“知识产权指导下的研发战略”,在22-14nm技术代集成电路关键工艺、器件结构等关键点上较为系统地进行了专利组合布局,包括“高k栅介质/金属栅工程”、“沟道应变工程”、“三维器件结构”等,共申请发明专利1656项(含国际专利501项)。其中,在“高k栅介质/金属栅”和“FinFET器件”领域,专利申请数量分别排名世界第6和第12位。这一系列成果的取得将为我国纳米级极大规模集成电路产业技术升级提供有力的技术支撑。

    22-14nm关键工艺知识产权布局

    22-14nm关键工艺模块

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